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SEM(option)

Ion Sputter Coater G20

전도성이 없는 시료 및 전도성이 약한 시료의 표면에 플라즈마를 생성하여 금속박막을 형성시키는 장비로 2차 전자(SE)의 양을 증가시킴으로써 고해상도 영상 이미지를 획득합니다.
전자현미경 분석시, 필수적으로 거쳐야 하는 전처리 장비입니다. 타겟은 골드(Au), 백금(Pt) 를 주로 사용하여 시료 표면에 증착(도금)을 시켜 사용하며 시료의 상태에 따라서 전압을 조절하여 두께를 조절할 수 있습니다.

  • 7인치의 터치스크린으로 손쉬운 조작
  • 한번의 Touch 만으로 진공 → 자동코팅 → 완료
  • Library 기능으로 자주 사용하는 조건 저장
  • Φ14mm 의 Sample Stub 총 7개 동시 장착
  • 1~10mA의 저전압 코팅으로 시료의 손상방지
  • Compact 한 제품 Size 로 설치공간 최소화

G20 제품사양

Degree of Vacuum 2.0 x 10-1 tor
Ion Current 1 to 10mA (1mA/step)
Target Material Au or Pt
Chamber Size Φ140mm(D) x 100mm(H)
Sample Stage Φ50mm(D) x 30mm(H)
Target Size Φ50mm(D)
Sputter Time 1 to 600sec (1sec/step)
Vacuum Pump 100L/min, Rotary Pump(without)
Dimension 380(W )x 240(D) x 250(H)mm, 10kg

Au Coating Images (10mA / 4min / Thickness 30nm)

분석결과

FUNCTION

  • Current : 1mA 단위 설정 (1 to 10)
  • Times : 1초 단위 설정 (1 to 600)
  • Library : 최대 10개 까지 코팅조건 저장 (신규설정 시 Save)
  • Selective Plasma : 정해진 횟수에 따라서 시간을 분배하여 플라즈마 방출 최대 50 time, 5초 단위 설정)

BSE Detector

반도체형 4채널 Detector 로 구성되어 있으며 SEM 장비에 부가적으로 장착할 수 있습니다. 정확한 경계면을 구분할 수 있으며, 시료를 코팅하지 않고 저 진공 영역에서 분석할 수 있습니다.

  • Device fully depleted
  • Leakage current: < 300pA/cm2 @RT without GR current
  • Signal Capacitance < 3 Pf
  • Active volume: 10mm x 10mm =100mm2
  • GR structure, aluminum grid
  • Low leakage current level
  • Single segment silicon p-i-n diode

EDS (Energy Dispersive x-ray Spectrometer)

EDS 는 전자현미경을 통해 관찰 가능한 모든 구조에서 화학적 성분 정보를 알 수 있습니다. Boron(5) 부터 Americium(95) 범위 이내의 모든 원소검출이 가능하며 원소의 함량을 Atomic % 와 Weight % 로 출력합니다.
거친 표면, 평탄한 표면, 작은 입자 분석이 가능하며, 1~30kV 까지 고전압 및 저전압 하에서 측정이 가능 합니다.
Mini-SEM 과 Normal-SEM 모든 제품에 EDS 장착이 가능하며 액체질소를 사용하지 않은 SDD 타입으로 제공합니다.
샘플 표면의 정성ㆍ정량 결과와 Mapping & Line Scan 분석 결과를 하나의 Report 로 구성할 수 있습니다.

Mini-SEM 에 장착가능한 EDS 시스템

Normal-SEM 에 장착 가능한 EDS, WDS, EBSD 시스템

Bruker EDS S/W UI

Oxford EDS S/W GUI